关键技术参数需求
*. 腔体尺寸:直径******高*****
*. 极限真空度:≤*.****-***
*. 系统漏率:****-***.*/*
*. 静态升压:系统停泵关机***后,真空度≤***
*. 抽真空时间:抽至****-***,时间≤*****
*. ▲磁控靶配置:带角度调节直径****磁控靶*支
*. 清洗:支持偏压清洗
*. 辅助沉积:支持辅助沉积
*. 样品数量:*寸样片*片或小样品数片
**. 溅射不均匀性:≤±*%(直径*寸范围内),≤±*%(直径*寸范围内)
**. 样品加热:最高***℃,温度均匀性±*%(灯光辐照,样品镂空)
**. 腔体侧壁烘烤加热:有
**. 工艺气体:**,**
**. ▲电源:射频源:****,**,自动匹配
直流源:*****
**. 压力控制:自动
**. 载片(******):直径小于*****的各种基片(** ** *** ** ******)
**. 气体(*** *****):**、**、**
**. 靶源(********* ********** *******):*个*吋标准磁控靶,功率**** (**** * - **** ******** ********,***** ****)
**. 样品台转速及温度范围(******** ***** ** *** *********** ***** ** *** ****** *****):最高转速** ***,室温至*** ℃ (** ** ** ***, *** **** *********** ** ** *** ℃)
**. 薄膜不均匀度(*************):< *%
*、特殊配件或耗材需求
▲*.水冷工件盘*个(可与加热工件盘互换)。
▲*.阳极层离子源*支。
▲*.进口全量程真空规*套。
▲*.循环水机*台。
带▲的参数为重要技术参数,请优先配置,如果不能配置,请说明原因。